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第883章 百万颗碳纳米管集成（第4页）

按照材料研究所那边的预估，在正月十号之前，他们有希望能够做出集成千万颗碳纳米管的碳基衬底。

尽管这只是碳基衬底，不是真正的碳基芯片，而且距离硅基芯片集成密度已经超过两亿个晶体管每平方毫米的数量还有非常遥远的距离要走。

但对于碳基芯片的研究来说，这毫无疑问是一个重大的突破。

要知道，在此之前，碳基芯片晶体管的数量只有数千颗，而且还是在实验室中耗费了巨大代价才集成上去的。

而现在，通过更简单更廉价的方法，他们轻轻松松的在碳基衬底上做到了百万颗碳纳米管的有序集成。

科学研究就是这样，如果没有找到正确的研究方向，那么你的前进就如同在混沌迷雾中摸索一般。

但如果你找到了一个正确的研究方向，进展之迅速，便会如同踏上了一条康庄大道一般。

过完春节，走完亲戚，在家里呆到了大年初八，徐川就准备动身返回金陵了。

和往年差不多要过完十二日年甚至元宵再出发相比，今年他的确走的比较早一点。

主要是心系碳基芯片方面的研究。

在月球背面瑶池环形山的冲击壁上发现的‘瑶池晶’为碳基芯片的研究带来了重大的突破。

碳纳米管的整齐有序排列难题得到了最大的解决，剩下的，毫无疑问就是抓紧时间一鼓作气将真正的碳基集成芯片研究出来了。

老实说，在碳基芯片的研究上，徐川能做的并不多。

一方面是他并不是芯片领域的学者，对这个领域了解甚少。

另一方面则是芯片的研究和制备，是一个系统性的超级工程。

严格的来说，芯片的制备，和他当初主持过的可控核聚变工程类似。

两者都是由一个个的‘区块’组成的。

就像是搭积木一样，将一块块的积木用工具修成想要的形状后，再组装到一起，变成一栋房屋。

比如芯片的研发制备，就涉及到电路图规划设计、制造单晶硅圆、薄膜沉积、光刻机曝光、蚀刻注入等离子体.成品封装等多个步骤与流程。

这中间每一个步骤，每一个流程都需要解决众多的难题。

比如电路图的设计就关系到功能需求、电路拓扑结构、信号传输速度等多种因素。

而单晶硅圆的制造同样涉及到超高纯度的单晶硅制备、超光滑切面等等难题。

可控核聚变技术就更不用多说了。

无论是高温等离子体湍流的控制，还是第一壁材料，亦或者是氚素的回收都是全世界最顶尖最难的问题。

若要说区别，当然还是有的。

芯片的研发制造不会比可控核聚变技术更难。